Американская корпорация Intel объявила о "прорыве в эволюции транзисторов". Впервые в массовом производстве вместо традиционных планарных структур будут использоваться трехмерные.
Новая разработка позволяет создавать существенно более производительные и энергоэффективные процессоры по сравнению с существующими аналогами. Intel на сегодняшний день является единственным производителем полупроводников, готовым к внедрению этой технологии в массовую продукцию, сообщает РИА "Новости".
О начале разработке технологии трехмерных транзисторов Intel совместно с компанией Texas Instruments объявила еще в 2006 году. Тогда предполагалось, что новация найдет применение в серийной продукции к 2010 году.
Теперь стало известно, что разработка, получившая наименование 3-D Tri-Gate, будет впервые реализована в серийных процессорах в конце 2011 года. На рынке они, скорее всего, появятся в первом квартале 2012-го.
Трехмерные транзисторы дебютируют в чипах семейства Ivy Bridge, изготовляемых по 22-нанометровой технологии и предназначенных для персональных компьютеров. В дальнейшем Intel планирует использовать технологию для создания более экономичных и производительных процессоров Intel Atom для мобильных устройств и встроенных решений.
По заявлению компании, внедрение 3-D Tri-Gate повышает производительность процессора до 37% при одновременном переходе с 32-нанометровых на 22-нанометровые топологические нормы (подобный переход, сам по себе, также позволяет увеличить скорость работы чипа).
Компания пока не раскрывает детали новой технологии, отмечая лишь, что переход от традиционной планарной к трехмерной структуре транзистора позволяет при сохранении производительности уменьшить энергопотребление более чем вдвое.
Переход от традиционной планарной к трехмерной структуре транзистора позволяет снизить сопротивление открытого логического элемента, увеличить сопротивление в закрытом состоянии и помогает быстрее переключаться между этими режимами.
Соответственно, применение трехмерных транзисторов снижает рабочее напряжение чипа и уменьшает токи утечки.
