Корпорация IBM заявила о разработке чипов с рекордной плотностью транзисторов, превосходящие по вычислительной мощности все существующие образцы, сообщает CNews со ссылкой на публикацию в газете New York Times.
Издание напоминает, что процессоры состоят из транзисторов, которые формируют логические цепи. Чем меньше транзистор, тем большее их количество может поместиться на кристалле чипа, и тем больше операций сможет выполнять микросхема. Сейчас основные мировые производители изготавливают чипы по 14-нм техпроцессу и планируют перейти к производству чипов с 10-нм транзисторами.
По словам представителей IBM, в новых процессорах компании используются транзисторы величиной 7 нм. Для понимания этих размеров NYT уточняет, что цепочка ДНК человека имеет диаметр 2,5 нм, а диаметр эритроцита составляет 7500 нм.
Перейти на эту норму удалось благодаря применению в конструкции транзистора сплава кремния и германия вместо чистого кремния, который является традиционным материалом для изготовления микрочипов.
В IBM сообщили, что процессор обычных размеров может вместить свыше 20 млрд 7-нм транзисторов, в то время как процессор в смартфоне iPhone 6 имеет примерно 2 млрд транзисторов, а самый мощный 18-ядерный серверный процессор Intel Xeon - около 5,5 млрд транзисторов.
Применение кремниевого сплава также позволило добиться более высокой скорости переключения транзисторов и заметно снизить энергопотребление чипа по сравнению с современными образцами.
На данный момент IBM располагает рабочими образцами чипов на базе 7-нм технологии и готова лицензировать свои разработки производителям чипов, например GlobalFoundries. При этом стоит отметить, что GlobalFoundries и Samsung принимали участие в создании чипов нового поколения, а ранее именно GlobalFoundries получила в свое распоряжение убыточный бизнес IBM по производству микрочипов.
Прорыв IBM в очередной раз подтвердил на практике так называемый Закон Мура, согласно которому количество транзисторов, размещаемых на кристалле интегральной схемы, удваивается каждые 2 года.
