Японские компании Sharp и Elpida Memory объединили усилия для создания чипов резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM, от англ. "resistive random access memory"), которые смогут обеспечить в тысячи раз более высокую скорость записи, чем распространенная сегодня флэш-память стандарта NAND.
Первые сведения о памяти нового поколения, под которой подразумевают энергонезависимую резистивную память с произвольным доступом, получившую обозначение ReRAM, появились несколько лет назад. Такие чипы должны потреблять меньше энергии, сохраняя записанные данные после отключения питания.
Разработка, как сообщает РИА "Новости" со ссылкой на сайт Tech-On и агентство Reuters, ведется в партнерстве с Токийским университетом и японским Национальным институтом передовых индустриальных наук и технологий (AIST). Ожидается, что коммерческие образцы новых чипов появятся в 2013 году.
По сравнению с флэш-памятью стандарта NAND, широко используемой в современных мобильных устройствах, новые чипы позволят записывать данные до десяти тысяч раз быстрее, отмечает Reuters. В режиме ожидания разрабатываемые ReRAM-чипы практически не будут потреблять энергию.
Производители уже давно работают над созданием памяти, которая могла бы заменить динамическую память с произвольным доступом (DRAM) и энергонезависимую память (в этом качестве сейчас преимущественно выступает флэш-память типа NAND). Память типа ReRAM отлично подходит на такую роль, превосходя оба указанные типа памяти, утверждает Elpida.
Elpida Memory входит в тройку крупнейших производителей чипов оперативной памяти DRAM. Предположительно компания сама займется массовым производством новых ReRAM-чипов в 2013 году.
