Специалисты Университета штата Северная Каролина (США) предложили новую методику изготовления компьютерной памяти, которая в перспективе может прийти на смену современным технологиям производства устройств хранения данных.
Изобретенное ими устройство получило название "полевой транзистор с двойным плавающим затвором", сообщает СОТОВИК.ру.
Новая разработка, как утверждают ученые, объединяет достоинства обоих видов компьютерной памяти, используемых в настоящее время.
Если в нынешней энергонезависимой памяти используются одиночные плавающие затворы, сохраняющие заряды для отражения состояний 0 или 1, то применение двойных плавающих затворов предполагает эксплуатацию одного из них для хранения разряда в энергонезависимой памяти, и параллельно второго — в энергозависимой.
Другими словами, речь идет о переключении между статическим и динамическим режимами работы компьютерной памяти в одном цикле, притом что данные никогда не исчезают в промежуточном состоянии.
Сейчас, напомним, в компьютерах применяется два основных типа памяти - энергонезависимая, но относительно медленная постоянная (жесткие диски, SSD-накопители), а также быстрая оперативная, нуждающаяся в постоянном питании.
Оперативная память обладает высокой производительностью, но не способна хранить информацию при отсутствии энергоснабжения. Постоянная память может сохранять записанные данные даже после полного прекращения энергоснабжения, но ее скорость передачи данных существенно уступает оперативной памяти.
Универсальная память, комбинирующая скорость DRAM-микросхем с энергонезависимостью и плотностью флеш-памяти, обеспечит почти мгновенный запуск компьютеров и снизит энергопрожорливость крупномасштабных "серверных ферм".
